Anlage zur Bildung eines Metalloxidfilmes, Verfahren zur Bildung eines Metalloxidfilmes und Metalloxidfilm

摘要

Eine Filmbildungsanlage (100) gemäß einem Ausführungsbeispiel dieser Erfindung umfasst einen ersten Lösungsbehälter (5A), einen zweiten Lösungsbehälter (5B), eine Reaktionskammer (1), eine erste Leitung (L1) und eine zweite Leitung (L2). Der erste Lösungsbehälter (5A) beinhaltet eine Quellenlösung 10, umfassend Metall. Der zweite Lösungsbehälter (5B) beinhaltet Wasserstoffperoxid. Ein Substrat (2) ist in der Reaktionskammer (1) angeordnet, und die Reaktionskammer (1) umfasst eine Erwärmungseinheit (3), die das Substrat erwärmt. Die erste Leitung (L1) führt eine Quellenlösung (10) von dem ersten Lösungsbehälter (5A) zur Reaktionskammer (1). Die zweite Leitung (L2) führt Wasserstoffperoxid von dem zweiten Lösungsbehälter (5B) zur Reaktionskammer (1).