发明名称 |
Energiespeichervorrichtung und Herstellungsverfahren hierfür |
摘要 |
Bereitgestellt wird eine Energiespeichervorrichtung, in der eine Ladekapazität hoch sein kann und/oder in der eine Verschlechterung einer Elektrode infolge eines wiederholten Ladens und Entladens verringert werden kann. Vorgesehen ist eine Elektrode der Energiespeichervorrichtung, die eine Kristallinsiliziumschicht beinhaltet, die als Aktivmaterialschicht dient. Die Kristallinsiliziumschicht beinhaltet einen Kristallinsiliziumbereich und einen bartartigen Kristallinsiliziumbereich, der eine Mehrzahl von Vorsprüngen aufweist, die von dem Kristallinsiliziumbereich aus nach oben vorstehen. Die Vorsprünge beinhalten einen ersten Vorsprung und einen zweiten Vorsprung. Der zweite Vorsprung weist eine größere Länge entlang der Achse und eine schärfere Spitze als der erste Vorsprung auf. |
申请公布号 |
DE112011101878(T5) |
申请公布日期 |
2013.03.21 |
申请号 |
DE201111101878T |
申请日期 |
2011.05.09 |
申请人 |
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. |
发明人 |
KURIKI, KAZUTAKA;YUKAWA, MIKIO |
分类号 |
H01M4/134;H01M4/1395;H01M4/38;H01M4/66 |
主分类号 |
H01M4/134 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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