| 发明名称 | 一种石墨烯的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种在石墨烯的制备方法，其步骤包括：1）在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯；2）将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上；3）对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。本发明通过插入铪插层，石墨烯显示了准自由态石墨烯的典型的拉曼谱线，G峰和2D峰，因此能够屏蔽石墨烯和金属基底的相互作用，恢复石墨烯的本征电子性质。 | ||
| 申请公布号 | CN102976313A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201210424654.8 | 申请日期 | 2012.10.30 |
| 申请人 | 中国科学院物理研究所 | 发明人 | 王业亮;李林飞;高鸿钧 |
| 分类号 | C01B31/04(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01B31/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙) 11390 | 代理人 | 胡剑辉 |
| 主权项 | 一种石墨烯的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）在真空环境下，在过渡金属基底上制得石墨烯；2）将适量金属铪蒸发沉积到石墨烯上；3）对整个样品进行退火处理，以将覆盖在石墨烯表面的铪插入石墨烯和过渡金属基底之间，形成铪插层。 | ||
| 地址 | 100190 北京市海淀区中关村南三街八号 | ||