| 发明名称 | 一种SiC晶须的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及SiC晶须领域，特别是涉及一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。放入真空碳管炉内，充入氩气，在1300℃～1500℃之间保温1～3小时。与现有技术相比，本发明的有益效果是：原料来源广、成本低，不存在环境污染，制备出的晶须长径比达60~200、晶须表面光滑，制备工艺简单，通过控制生产过程中的温度和气氛即可控制晶须的生长。 | ||
| 申请公布号 | CN102978706A | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201210540660.X | 申请日期 | 2012.12.13 |
| 申请人 | 中冶焦耐工程技术有限公司 | 发明人 | 崔曦文;柏杉;洪艳萍;闵庆峰;蒋明学 |
| 分类号 | C30B29/36(2006.01)I;C30B29/62(2006.01)I;C30B1/10(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/36(2006.01)I |
| 代理机构 | 鞍山嘉讯科技专利事务所 21224 | 代理人 | 张群 |
| 主权项 | 一种SiC晶须的制备方法，其特征在于，以埃肯硅微粉为硅源、石墨为碳源、Na3AlF6为催化剂，在石墨坩埚内，按摩尔比C/Si=（7.5～8）：1，Si/Al=（4～6）：1的比例加入SiO2微粉和Na3AlF6，石墨坩埚的内壁即是SiC晶须生长的基底，在热压炉中，充入氩气作为SiC晶须生长的保护气体。 | ||
| 地址 | 116085 辽宁省大连市高新技术产业园区七贤岭高能街128号 | ||