| 发明名称 |
GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING SAME |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1837922(A4) |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
| 申请号 |
EP20050820163 |
申请日期 |
2005.12.26 |
| 申请人 |
SONY CORPORATION |
发明人 |
OKUYAMA, HIROYUKI;BIWA, GOSHI |
| 分类号 |
H01L33/00;H01L33/06;H01L33/16;H01L33/32;(IPC1-7):H01L33/16 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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