一种建立MOSFET模型的方法

摘要

本发明提供了一种建立MOSFET模型的方法，包括1、以所述MOSFET的栅极长度和栅极宽度为坐标轴建立坐标系，并在所述坐标系的整个器件尺寸阵列中提取全局模型；2、将所述步骤1所提取的全局模型中的参数Dvt0、Dvt1、Dvt2、nlx、prwg、prwb、k3、k3b、w0、dwg、dwb、b0、b1、l1、lw、lw1、ww、w1、ww1都设置为0；3、以所述步骤2所提取的全局模型为基础，提取所述器件尺寸阵列中所有MOSFET器件的单模型；4、提取分块模型。该方法用全局的方法建立分块模型，结合了全局模型和分块模型的优点，在消除参数不连续的同时还具有很好的模型精度，并且能快速建立模型。

主权项

一种建立MOSFET模型的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：步骤1、以所述MOSFET的栅极长度和栅极宽度为坐标轴建立坐标系，并在所述坐标系的整个器件尺寸阵列中提取全局模型；步骤2、将所述步骤1所提取的全局模型中的参数Dvt0、Dvt1、Dvt2、nlx、prwg、prwb、k3、k3b、w0、dwg、dwb、b0、b1、ll、lw、lwl、ww、wl、wwl都设置为0；步骤3、以所述步骤2所提取的全局模型为基础，提取所述器件尺寸阵列中所有MOSFET器件的单模型;步骤4、提取分块模型。