一种发光二极管芯片及其制造方法

摘要

本发明提供一种发光二极管芯片及其制造方法，包括生长基板；两个以上发光二极管单元，形成于所述生长基板上，相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离；非金属导线，覆盖于所述深沟槽上，相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联；金属电极焊盘，形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。本发明所述发光二极管芯片采用非金属导线作为发光二极管单元之间的互连结构，相比于金属材料的导线厚度大且透光性差，所述非金属导线具有更好的透光性且厚度可以相对薄一些，且在高压驱动时，台阶拐角处不易出现熔断导致芯片失效的问题，从而不仅提高了有效的出光面积，同时提高了发光二极管芯片的稳定性。

主权项

一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：生长基板；两个以上发光二极管单元，形成于所述生长基板上，相邻的所述发光二极管单元之间通过深沟槽隔离；非金属导线，覆盖于所述深沟槽上，相邻的两个发光二极管单元通过所述非金属导线串联或并联；金属电极焊盘，形成于所述发光二极管芯片的最外围的发光二极管单元上。