发光元件及其制造方法

摘要

一种发光元件及其制造方法。具有发光外延结构的发光元件，该发光外延结构于反向偏压的条件下，于负10微安培/毫米2的电流密度下，对应的临界反向电压的绝对值大于50伏特；其中该发光外延结构于正向偏压的条件下，以150毫安培/毫米2的电流密度驱动时，具有至少50流明/瓦特的发光效率。发光元件的制造方法，包含：提供基板；于第一生长条件下于该基板上生长第一外延层；于第二生长条件下于该第一外延层上生长工艺转换层；于第三生长条件下于该工艺转换层上生长第二外延层；其中该第一生长条件与该第三生长条件具有工艺变化；且该工艺转换层的导电率大于该第一外延层和/或该第二外延层的导电率。

主权项

一种具有高反向电压值的发光元件，包含至少一发光单元，该发光单元包含发光外延结构，其中该发光外延结构包含接触层、工艺转换层、n型半导体层、p型半导体层以及介于该n型半导体层及该p型半导体层之间的有源层，其中该工艺转换层的导电率大于该n型半导体层及该有源层，其中该发光外延结构于反向偏压的条件下，于负10微安培/毫米2的电流密度下，对应的反向电压值的绝对值大于50伏特。