| 发明名称 | 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片 | ||
| 摘要 | 低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器的外延片，涉及半导体激光器领域，本实用新型通过在GaAs衬底层上顺序生长缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层，以此加工成低线宽的980nm F-P腔应变量子阱激光器，可应用于光学测量、固体激光器泵浦、激光光谱学、医疗研究等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN202817486U | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN201220367669.0 | 申请日期 | 2012.07.27 |
| 申请人 | 扬州乾照光电有限公司 | 发明人 | 张帆;韩效亚;杜石磊;林晓珊;叶培飞;占荣;耿松涛;张双翔 |
| 分类号 | H01S5/343(2006.01)I;H01S5/14(2006.01)I | 主分类号 | H01S5/343(2006.01)I |
| 代理机构 | 扬州市锦江专利事务所 32106 | 代理人 | 江平 |
| 主权项 | 一种低线宽的980nm F‑P腔应变量子阱激光器的外延片，其特征在于：包括顺序连接的GaAs衬底层、缓冲层、过渡层、n型下限制层、下波导层、下势垒层、有源层、上势垒层、上波导层、p型上限制层和欧姆接触层。 | ||
| 地址 | 225009 江苏省扬州市维扬路108号 | ||