| 发明名称 | 被测物相对于传感器的位置和/或位置变化的测定方法及测定用的传感器装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种被测物相对于传感器(2)的位置和/或位置变化的测定方法，其中所述传感器(2)优选具有施加以交流电的传感线圈(7)，其特征在于：软磁金属薄片(4)中与被测物(1)关联的磁铁(5)使金属薄片(4)的磁导率产生变化，金属薄片(4)的磁导率在磁场的作用下随磁场的场强变化而变化并安排在传感器(2)的作用范围内，而金属薄片(4)的磁导率变化由被测物对传感器(2)的反应来确定并可用于测定被测物(1)相对于传感器(2)的位置和/或位置变化。从而设计出一种传感器装置。 | ||
| 申请公布号 | CN101563585B | 申请公布日期 | 2013.03.20 |
| 申请号 | CN200780047304.1 | 申请日期 | 2007.12.21 |
| 申请人 | 微-埃普西龙测量技术有限两合公司 | 发明人 | V·蒙德尼科夫 |
| 分类号 | G01D5/20(2006.01)I;G01D5/22(2006.01)I;G01B7/00(2006.01)I;H01H36/00(2006.01)I;H03K17/95(2006.01)I | 主分类号 | G01D5/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种被测物相对于传感器的位置或位置变化的测定方法，其中所述传感器具有施加以交流电的传感线圈，其特征在于，金属薄片的磁导率变化由分配给软磁金属薄片中被测物的磁铁所产生，其磁导率在磁场的作用下随磁场的场强变化而变化并安排在传感器的作用范围内，所述金属薄片的磁导率变化由传感器上的反馈来确定并由其测定被测物相对于传感器的位置或位置变化，并且磁场由以直流电激发的补偿线圈产生，通过磁场影响金属薄片或部分金属薄片的磁导率。 | ||
| 地址 | 德国奥滕伯格 | ||