发明名称 |
半导体芯片及半导体装置 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体芯片及一种半导体装置。半导体芯片(10)包括基板(11)、形成在基板(11)的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路(12)、形成在基板(11)中与多个半导体元件中的规定半导体元件(30)相对应的区域内的放热插塞(31)、以及形成在放热插塞(31)中除了放热插塞(31)的上端部以外的部分与基板(11)之间的第一绝缘膜(16)。放热插塞(31)由填充到在与元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于基板(11)的热导率的材料形成,该放热插塞(31)的上端部与基板(11)接触。因此,能够实现从半导体基板的背面一侧高效地放热的半导体芯片。 |
申请公布号 |
CN101499480B |
申请公布日期 |
2013.03.20 |
申请号 |
CN200810188505.X |
申请日期 |
2008.12.19 |
申请人 |
松下电器产业株式会社 |
发明人 |
佐野光;富田佳宏;中野高宏 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H01L23/36(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中科专利商标代理有限责任公司 11021 |
代理人 |
汪惠民 |
主权项 |
一种半导体芯片,包括基板、形成在所述基板的元件形成面一侧并具有多个半导体元件的集成电路、以及形成在所述基板中与所述多个半导体元件中的规定半导体元件相对应的区域内的放热插塞,其特征在于:所述放热插塞由填充到在与所述元件形成面相反一侧的面上开口的非贯通孔内并且热导率高于所述基板的热导率的材料形成,所述半导体芯片还包括第一绝缘膜,该第一绝缘膜形成在所述放热插塞中除了所述放热插塞的上端部以外的部分与所述基板之间;所述放热插塞的上端部与所述基板接触。 |
地址 |
日本大阪府 |