使用多有源沟道层的薄膜晶体管

摘要

本文揭示的实施例大致上关于TFT以及制造TFT的方法。在TFT中，有源沟道层携送电流于源极电极与漏极电极之间。通过调适有源沟道的组成，可以控制电流。有源沟道可以包含三层，即栅极控制层、体层及界面控制层。所述个别的层可以具有不同的组成。此外，栅极控制层、体层及界面控制层的各者可以包含多个层，所述多个层具有不同组成。有源沟道的各层的组成包含氧、氮以及选自由锌、铟、镉、锡、镓及上述元素的组合所组成群组的一或多个元素。通过改变所述层之间的组成，可以控制各层的迁移率、载流子浓度及导电率，以制造具有所希望性质的TFT。

主权项

一种薄膜晶体管，包含：栅极介电层，设置在栅极电极与基板上方；有源沟道，耦接到所述栅极介电层而与所述基板相对，所述有源沟道包含：一或多个栅极控制层，包含氧、氮、以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成群组的一或多个元素且具有第一组成，所述一或多个栅极控制层中的至少一者与所述栅极介电层接触；一或多个体层，与所述一或多个栅极控制层中的至少一者接触，所述一或多个体层包含氧、氮、以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成群组的一或多个元素且具有第二组成，所述第二组成不同于所述第一组成；以及一或多个背沟道界面控制层，与所述一或多个体层中的至少一者接触，所述一或多个背沟道界面控制层包含氧、氮、以及选自由锌、铟、锡、镉与镓所组成群组的一或多个元素且具有第三组成，所述第三组成不同于所述第一组成与所述第二组成中的一者或多者；以及源极电极与漏极电极，耦接到所述一或多个背沟道界面控制层中的至少一者。