半导体结构及其制造方法

摘要

本发明涉及半导体结构及其制造方法。一种半导体结构包括：半导体基底；依次形成在半导体基底上的第一绝缘材料层、第一导电材料层、第二绝缘材料层、第二导电材料层、绝缘埋层；结合在绝缘埋层上的半导体层；形成在半导体层上的晶体管，晶体管的沟道区均形成于半导体层中且均具有由第二导电材料层构成的背栅；覆盖半导体层以及晶体管的介质层；用于至少将每一个晶体管与相邻晶体管电隔离的隔离结构，隔离结构的顶部与半导体层的上表面齐平或略高，且底部位于第二绝缘材料层中；以及贯穿介质层并向下延伸到第一导电材料层中的导电接触。

主权项

一种半导体结构，包括：半导体基底；在所述半导体基底上的第一绝缘材料层；在所述第一绝缘材料层上的第一导电材料层；在所述第一导电材料层上的第二绝缘材料层；在所述第二绝缘材料层上的第二导电材料层；在所述第二导电材料层上的绝缘埋层；在所述绝缘埋层上的半导体层；形成在所述半导体层上的晶体管，所述晶体管至少包括第一组晶体管和第二组晶体管，所述晶体管的沟道区均形成于所述半导体层中且均具有由所述第二导电材料层构成的背栅；覆盖所述半导体层以及所述晶体管的介质层；用于至少将每一个晶体管与相邻晶体管电隔离的隔离结构，所述隔离结构的顶部与所述半导体层的上表面齐平或略高，且底部位于所述第二绝缘材料层中；以及贯穿所述介质层并向下延伸到所述第一导电材料层中的导电接触，所述导电接触借助所述隔离结构中的至少一个隔离结构与所述晶体管隔离开，并且通过所述导电接触将所述第一导电材料层电连接到外部以实现对第一组晶体管的背栅电压的控制。