半导体材料的平滑方法及使用其制造的晶片

摘要

公开了一种半导体材料的平滑方法以及使用该方法制造的晶片。具有减少的原子台阶（104），以及减少的刮痕和表面下缺陷的半导体晶片（100）可以被制造。这种晶片（100）特征在于一种可为外延层的生长提供减少的宏观缺陷和缺陷密度的改进的生长表面（108）。一种根据本发明的示例性实施例的平滑晶片（100）的表面（102）的方法包括平坦化半导体晶片（100）的表面（102），以及接着氧化晶片（100）以在晶片（100）的表面上达到氧化物（106）的指定厚度。氧化物（106）可以接着被从半导体晶片（100）的表面（108）剥离。

主权项

一种表面基本上没有刮痕的半导体晶片，其中，与紧接着化学机械平坦化CMP所述表面之后的原子台阶的出现相比，所述表面上的原子台阶的出现被减少至少50%。