发明名称 成膜装置和成膜方法
摘要 本发明提供一种成膜装置和成膜方法。该成膜装置在旋转台的旋转方向上将两个等离子体产生部互相分开设置,并且在该等离子体产生部与晶圆之间分别配置法拉第屏蔽。而且,在各个法拉第屏蔽上设有沿与各个等离子体产生部中的天线正交方向上延伸的狭缝,对于在各个天线中产生的电场磁场中的电界进行屏蔽,另一方面使磁场向晶圆侧通过。
申请公布号 CN102978586A 申请公布日期 2013.03.20
申请号 CN201210326691.5 申请日期 2012.09.05
申请人 东京毅力科创株式会社 发明人 加藤寿;菱谷克幸;牛窪繁博
分类号 C23C16/44(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;C23C16/458(2006.01)I;C23C16/50(2006.01)I 主分类号 C23C16/44(2006.01)I
代理机构 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人 刘新宇;张会华
主权项 一种在真空容器内多次进行依次供给第1处理气体和第2处理气体的循环而在基板上进行成膜处理的成膜装置,其中,该成膜装置包括:旋转台,在其一面侧形成有用于载置基板的基板载置区域,该旋转台用于使上述基板载置区域在上述真空容器内进行公转;第1处理气体供给部和第2处理气体供给部,其用于向在该旋转台的圆周方向上被隔离区域互相隔离开的区域分别供给第1处理气体及第2处理气体;主等离子体产生气体供给部及辅助等离子体产生气体供给部,其用于向上述真空容器内分别供给主等离子体产生用气体及辅助等离子体产生用气体;以及主等离子体产生部及辅助等离子体产生部,其在上述旋转台的圆周方向上互相分开设置,用于分别使主等离子体产生用气体及辅助等离子体产生用气体等离子体化;上述主等离子体产生部具有:天线,其面对上述旋转台的一面侧设置,以在上述真空容器内利用电感耦合使主等离子体产生用气体等离子体化;以及法拉第屏蔽,其介于上述天线与进行等离子体处理的区域之间,导电性的板状体并接地,其在该天线延伸的方向上排列有多个沿与上述天线正交的方向延伸的狭缝,以阻止在上述天线的周围产生的电场磁场中的电场成分的通过并使磁场向基板侧通过。
地址 日本东京都