一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法

摘要

针对现有蒸镀电极用掩膜版或加工成本高或精度差的不足，本发明公开了蒸镀电极的免光刻高精度铜箔掩模版的制备方法，是在铜箔表面旋涂正性光刻胶，通过紫外曝光工艺，在铜箔上形成所需的电极图形，然后将此铜箔放入铜刻蚀液中，在光刻胶的保护下刻蚀出所光刻的图形，去胶即可完成铜箔掩模版的制备。该铜箔掩模版可直接用于蒸镀电极使用，免去了器件制备中的多步光刻工艺，避免了光刻过程可能对材料以及器件性能造成的不利影响。本发明制备方法简单易行，稳定可靠，可以应用到各种微纳米尺寸器件电极的制备。

主权项

一种制备蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版的方法，其特征在于，按如下步骤进行：1）将一片铜箔（1）的一侧面粘附在热剥离胶带（2）上，在所述铜箔（1）的另一侧面上旋涂一层正性光刻胶（3），并通过紫外曝光的工艺方法在正性光刻胶（3）上进行光刻形成所需的电极图形，将正性光刻胶（3）上的电极图形区域清洗掉，使得与电极图形区域相对应的铜箔（1）暴露出来；其中，所述热剥离胶带（2）确保在旋涂正性光刻胶（3）时，避免正性光刻胶（3）渗漏到铜箔（1）的背面影响后续刻蚀效果的目的；2）将光刻有电极图形的铜箔（1）浸泡在铜刻蚀液中；其中，铜箔（1）由热剥离胶带（2）覆盖的一侧不被铜刻蚀液刻蚀；铜箔（1）的另一侧暴露在铜刻蚀液中的区域被刻蚀掉；完成刻蚀后，在铜箔（1）上形成与电极图形的形貌相同的贯穿孔（4）；在本步骤中，热剥离胶带（2）确保刻蚀液在刻蚀铜箔（1）时是单面刻蚀的；3）将已刻蚀好但仍粘附有热剥离胶带（2）的铜箔（1）放在烘胶台上烘烤，热剥离胶带（2）受热后粘性下降，直至铜箔（1）自热剥离胶带（2）上释放下来；将释放下来的铜箔（1）去除正性光刻胶（3）即制备出蒸镀电极用的免光刻高精度掩模版；在本方法中，热剥离胶带（2）还起到保持铜箔（1）结构完整性的作用。