利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法

摘要

本发明公开了一种利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法，包括如下步骤：步骤1.在接触孔曝光后进行金属层间氧化物的干法刻蚀；步骤2.第一次接触孔刻蚀，为后续与金属的连接形成欧姆接触；步骤3.第一次接触孔离子注入；步骤4.第二次接触孔刻蚀，形成有轻微台阶的倒梯形结构；步骤5.湿法刻蚀回刻，将突出的金属层间氧化物的界面刻蚀回去，并略缩后于硅的界面；步骤6.干法刻蚀倒角，将所有台阶磨平；步骤7.第二次接触孔离子注入，对接触孔底部的离子注入形成肖特基接触，形成利于金属填充的圆角倒梯形的侧壁光滑的接触孔形貌。该方法使金属填充效果良好，从而提高器件的可靠性。

主权项

一种利于金属填充的SDMOS接触孔形状的形成方法，其特征在于，通过以下工艺步骤形成平滑的倒梯形结构的接触孔：步骤1.在接触孔曝光后进行金属层间氧化物的干法刻蚀；步骤2.第一次接触孔刻蚀，为后续与金属的连接形成欧姆接触；步骤3.第一次接触孔离子注入；步骤4.第二次接触孔刻蚀，形成有轻微台阶的倒梯形结构；步骤5.湿法刻蚀回刻，将突出的金属层间氧化物的界面刻蚀回去，并略缩后于硅的界面；步骤6.干法刻蚀倒角，将所有台阶磨平；步骤7.第二次接触孔离子注入，对接触孔底部的离子注入形成肖特基接触。