EEPROM器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种EEPROM器件，其源漏镜像对称，栅极包括一多晶硅浮栅和一多晶硅控制栅，多晶硅浮栅在沟道方向分为互相隔离且在隔离介质层两侧呈镜像对称的多晶硅浮栅一和多晶硅浮栅二。多晶硅浮栅一和二在沟道方向的宽度通过侧墙工艺来定义，隔离介质层的宽度通过侧墙的间距来定义。本发明还公开了所述EEPROM器件的制造方法。本发明器件的特征尺寸小、集成度高，且能够实现单个器件的2位数据存储、提高器件的存储密度，另外隔离介质层能够避免数据合并或丢失、提高器件的可靠性。

主权项

一种EEPROM器件，其特征在于，包括：一源区、一漏区和一沟道区，所述源区和漏区形成于硅衬底上，沟道区处于源区和漏区之间，所述源区和漏区掺杂相同并在所述沟道区两侧呈镜像对称结构；一多晶硅浮栅，形成于所述沟道区上方，所述多晶硅浮栅和所述沟道区通过一浮栅氧化层相隔离，所述多晶硅浮栅在沟道方向分为互相用介质层隔离且在所述隔离介质层两侧呈镜像对称的多晶硅浮栅一和多晶硅浮栅二，所述多晶硅浮栅一和多晶硅浮栅二分别靠近所述源区和漏区；一多晶硅控制栅，形成于所述多晶硅浮栅上方并通过一控制栅介质层和所述多晶硅浮栅相隔离；所述多晶硅浮栅一和多晶硅浮栅二的在沟道方向的宽度通过侧墙工艺来定义，所述隔离介质层的宽度通过所述侧墙之间的距离来定义；所述多晶硅浮栅一和多晶硅浮栅二的宽度精度能达到5纳米。