| 发明名称 | 蓄电装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种在将硅用于负极活性物质时能够提高放电容量等蓄电装置的性能的蓄电装置及其制造方法。本发明提供一种蓄电装置，包括：集电体；以及集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，硅层包括：与集电体接触的薄膜状部分；多个根块；以及从多个根块的每一个延伸出的多个须状突起物，并且，从多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物的一部分与从多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物的一部分结合。 | ||
| 申请公布号 | CN102969529A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210312716.6 | 申请日期 | 2012.08.29 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 竹内敏彦;高桥实;长多刚;小国哲平;种村和幸 |
| 分类号 | H01M10/0525(2010.01)I;H01M4/134(2010.01)I;H01G9/042(2006.01)I | 主分类号 | H01M10/0525(2010.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 冯雅 |
| 主权项 | 一种蓄电装置，包括：集电体；以及所述集电体上的用作活性物质层的硅层，其中，所述硅层包括：与所述集电体接触的薄膜部分；多个根块；以及从所述多个根块延伸出的多个须状突起物，并且，从所述多个根块中的一个根块延伸出的须状突起物与从所述多个根块中的其他根块延伸出的须状突起物接触。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||