发明名称 | 一种浅结太阳能电池的制备工艺 | ||
摘要 | 本发明公开了一种浅结太阳能电池的制备工艺,包括以下步骤:a、将硅片清洗,去损伤层,制绒;b、在硅片表面喷涂磷酸;c、将硅片放入链式扩散炉中,进行扩散;d、将扩散后的硅片去除磷硅玻璃并刻蚀掉表面死层;e、在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层;f、丝网印刷背电极和正面电极或者电镀正面电极;g、烧结并测试分选。这种浅结太阳能电池的制备工艺保证在浅结的基础上,方阻均匀分布,具有很低的发射极饱和电流密度,显著提高太阳能电池的短波响应,提高太阳能电池的开路电压和短路电流。 | ||
申请公布号 | CN102969402A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
申请号 | CN201210532153.1 | 申请日期 | 2012.12.12 |
申请人 | 泰州德通电气有限公司 | 发明人 | 初仁龙 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人 | 王凌霄 |
主权项 | 一种浅结太阳能电池的制备工艺,其特征是,包括以下步骤:a、将硅片清洗,去损伤层,制绒;b、在硅片表面喷涂磷酸;c、将硅片放入链式扩散炉中,进行扩散;d、将扩散后的硅片去除磷硅玻璃并刻蚀掉表面死层;e、在发射极表面沉积氮化硅钝化减反射层;f、丝网印刷背电极和正面电极或者电镀正面电极;g、烧结并测试分选。 | ||
地址 | 225300 江苏省泰州市海陵区江洲南路97号 |