灰阶掩模坯料,灰阶掩模的制造方法和灰阶掩模及图案转写方法

摘要

本发明提供一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望转写图案的灰阶掩模的制造中使用，在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，作为灰阶掩模。遮光膜在膜厚方向上的组成变化，降低对图案化时采用的绘制光的表面反射率，半透光膜对图案化时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。

主权项

一种灰阶掩模坯料，在根据部位选择性地降低对被转写体的曝光光的照射量，在被转写体上的光刻胶上形成包含残膜值不同的部分的期望的转写图案的灰阶掩模的制造中使用，该灰阶掩模坯料在透明基板上依次具有半透光膜和遮光膜，分别在该半透光膜和该遮光膜上实施规定的图案化，从而形成遮光部、透光部和半透光部，形成灰阶掩模，所述遮光膜在膜厚方向上的组成成分变化，图案化时对在该遮光膜上形成的抗蚀膜进行图案曝光时采用的绘制光的表面反射率被降低，所述组成成分包括金属铬、氧化铬、氮氧化铬或氮化铬，所述半透光膜在图案化时对在该半透光膜上形成的抗蚀膜进行图案曝光时采用的绘制光的表面反射率调整为在面内不超过45％。