| 发明名称 | 一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种表面掺杂Au或Pt纳米晶的敏感膜的制备方法，该方法先在耐高温衬底上生长一层SnO2或ZnO敏感膜，然后在该SnO2或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，最后在退火炉里退火得到表面掺杂Au或Pt纳米晶的SnO2或ZnO敏感膜。利用本发明，可以在SnO2或ZnO敏感膜上掺杂Au/Pt纳米晶颗粒，较为显著提高气体传感器对CO和H2的敏感度、选择性及稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102965622A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210553829.5 | 申请日期 | 2012.12.19 |
| 申请人 | 中国科学院微电子研究所 | 发明人 | 李冬梅;陈鑫;梁圣法;詹爽;张培文;路程;谢常青;刘明 |
| 分类号 | C23C14/08(2006.01)I;C23C14/18(2006.01)I;C23C14/58(2006.01)I;G01N27/04(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/08(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 任岩 |
| 主权项 | 一种表面掺杂Au或Pt内米晶的敏感膜的制备方法，其特征在于，该方法先在耐高温衬底上生长一层SnO2或ZnO敏感膜，然后在该SnO2或ZnO敏感膜上生长一层Au或Pt，最后在退火炉里退火得到表面掺杂Au或Pt内米晶的SnO2或ZnO敏感膜。 | ||
| 地址 | 100083 北京市朝阳区北土城西路3号 | ||