| 发明名称 | 一种光伏探测器 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供了一种能够在室温条件下工作的光伏探测器，包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。本实用新型的光伏探测器，可在常温下工作，无需制冷设备，光吸收系数高，提高了探测率。 | ||
| 申请公布号 | CN202797042U | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201220333765.3 | 申请日期 | 2012.07.11 |
| 申请人 | 北京瑞普北光电子有限公司 | 发明人 | 王四新;刘先章;宋亚美 |
| 分类号 | H01L31/101(2006.01)I;H01L31/0304(2006.01)I;H01L31/0352(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/101(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种光伏探测器，其特征在于：包括依次设置的GaAs衬底、GaAs缓冲层、GaAs下电极层、多量子阱层和GaAs顶部电极层；所述量子阱层包括22周期，每个周期包括一个AlGaAs势垒层和一个GaAs势阱层，所述AlGaAs势垒层的厚度为GaAs势阱层厚度的30倍。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路2号 | ||