| 发明名称 | 卤代液晶聚合物、基于其合成的用于无水质子传导的磺酸液晶聚合物及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种卤代液晶聚合物、基于其合成的用于无水质子传导的磺酸液晶聚合物，解决现有质子交换材料传导能力强烈依赖于水的问题，在100~220℃区间实现无水质子传导。本发明的卤代液晶聚合物结构式为：<img file="2012105223346100004DEST_PATH_IMAGE001.GIF" wi="312" he="61" />；本发明用于无水质子传导的磺酸液晶聚合物结构式为：<img file="383983DEST_PATH_IMAGE002.GIF" wi="366" he="136" />其中：a+b=1,A为(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>、O(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>或COO(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>，R为(CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>，M为(CH<sub>2</sub>)<sub>p</sub>，X为卤族元素，15≤n≤25。本发明还提供了上述卤代液晶聚合物以及磺酸液晶聚合物的制备方法。本发明利用液晶的有序结构实现质子基于Grothuss跳跃机理传导，质子在磺酸基间跳跃传递而不需借助于水合氢离子进行传导。 | ||
| 申请公布号 | CN102964498A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210522334.6 | 申请日期 | 2012.12.07 |
| 申请人 | 四川大学 | 发明人 | 伍勇;黄卫星;肖泽仪;王彩虹;谭帅 |
| 分类号 | C08F116/14(2006.01)I;C08F120/30(2006.01)I;C08F8/36(2006.01)I;C08L29/10(2006.01)I;C08L33/16(2006.01)I;C09K19/38(2006.01)I;H01M2/16(2006.01)I;H01M8/02(2006.01)I | 主分类号 | C08F116/14(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都顶峰专利事务所(普通合伙) 51224 | 代理人 | 成实 |
| 主权项 | 1.卤代液晶聚合物，其特征在于，其结构式为：<img file="742208DEST_PATH_IMAGE001.GIF" wi="393" he="76" />其中：A为(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>、O(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>或COO(CH<sub>2</sub>)<sub>m</sub>，R为(CH<sub>2</sub>)<sub>r</sub>，X为卤族元素。 | ||
| 地址 | 610000 四川省成都市一环路南一段24号 | ||