| 发明名称 | 接触孔的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种接触孔的制作方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、第二介质层、第三介质层；进行刻蚀工艺，在所述第一介质层、第二介质层和第三介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出半导体衬底；去除所述第三介质层；在所述第二介质层上形成第四介质层，所述第四介质层填充所述第一接触孔；形成贯穿所述第四介质层、第二介质层和第一介质层的第二接触孔，所述第二接触孔露出半导体衬底；去除所述第四介质层。本发明提高了接触孔的制作工艺的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN102969275A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201210451655.1 | 申请日期 | 2012.11.12 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 张瑜;黄君;盖晨光 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种接触孔的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底上依次形成有第一介质层、第二介质层、第三介质层；进行刻蚀工艺，在所述第一介质层、第二介质层和第三介质层内形成第一接触孔，所述第一接触孔露出半导体衬底；去除所述第三介质层；在所述第二介质层上形成第四介质层，所述第四介质层填充所述第一接触孔；形成贯穿所述第四介质层、第二介质层和第一介质层的第二接触孔，所述第二接触孔露出半导体衬底；去除所述第四介质层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 | ||