发明名称 | 一种高纯度硅片 | ||
摘要 | 本实用新型涉及晶态硅技术领域,具体公开了一种高纯度硅片,其包括硅片本体,所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片,该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。本实用新型的高纯度硅片,其采用长方形的结构设计,且长方形的四个顶角均采用直角设置,不仅可以避免正方形设置浪费硅片的缺点,且可以对硅棒体进行更多的利用,减少损耗,可以在一定程度上降低生产成本。 | ||
申请公布号 | CN202786508U | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
申请号 | CN201220414958.1 | 申请日期 | 2012.08.21 |
申请人 | 云南三奇光电科技有限公司 | 发明人 | 夏学军 |
分类号 | C30B29/06(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I | 主分类号 | C30B29/06(2006.01)I |
代理机构 | 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 | 代理人 | 郑自群 |
主权项 | 一种高纯度硅片,包括硅片本体,其特征在于,所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片,该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。 | ||
地址 | 675800 云南省临沧市云县爱华镇旧村祥临二级路下侧 |