发明名称 一种高纯度硅片
摘要 本实用新型涉及晶态硅技术领域,具体公开了一种高纯度硅片,其包括硅片本体,所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片,该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。本实用新型的高纯度硅片,其采用长方形的结构设计,且长方形的四个顶角均采用直角设置,不仅可以避免正方形设置浪费硅片的缺点,且可以对硅棒体进行更多的利用,减少损耗,可以在一定程度上降低生产成本。
申请公布号 CN202786508U 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201220414958.1 申请日期 2012.08.21
申请人 云南三奇光电科技有限公司 发明人 夏学军
分类号 C30B29/06(2006.01)I;H01L21/18(2006.01)I 主分类号 C30B29/06(2006.01)I
代理机构 北京联瑞联丰知识产权代理事务所(普通合伙) 11411 代理人 郑自群
主权项 一种高纯度硅片,包括硅片本体,其特征在于,所述硅片本体为单晶硅片或多晶硅片,该硅片本体为四个顶角均为直角的长方形结构。
地址 675800 云南省临沧市云县爱华镇旧村祥临二级路下侧