一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法

摘要

一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片及其制备方法，涉及一种发光二极管。弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片设有蓝宝石衬底、未掺杂的GaN缓冲层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层；所述未掺杂的GaN层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱、P型AlGaN层和P型GaN层从下至上依次设在蓝宝石衬底上；所述介质层为SiO2层或SiN层。晶体质量较好，可提高LED的内量子效率，在弱极性面上实现非平面的有源层结构。

主权项

一种弱极性面上氮化镓基发光二极管外延片，其特征在于设有蓝宝石衬底、未掺杂的GaN缓冲层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱层、P型AlGaN层和P型GaN层；所述未掺杂的GaN层、第1N型GaN层、介质层、第2N型GaN层、3～10个周期的InGaN/GaN多量子阱、P型AlGaN层和P型GaN层从下至上依次设在蓝宝石衬底上。