发明名称 |
具有电流横向扩展结构的发光二极管 |
摘要 |
本实用新型公开了一具有电流横向扩展结构的发光二极管,其结构包括:衬底;n型氮化镓基外延层形成于衬底之上,并且其至少包含发光台面部和非发光部;有源层形成于n型氮化镓基外延层的发光台面部之上;p型氮化镓基外延层形成于有源层之上;n电极形成于n型氮化镓基外延层的非发光部之上并与n型氮化镓基外延层形成欧姆接触;其中,所述n型氮化镓基外延层的发光台面部包含一半绝缘电流横向疏导层,并且电流横向疏导层的位置介于有源层与n电极欧姆接触面之间。通过离子注入方式在n型氮化镓基外延层中引入一半绝缘层,起到阻挡电流以最短路径流动,疏导电流横向扩展的作用。 |
申请公布号 |
CN202797051U |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201220445263.X |
申请日期 |
2012.09.04 |
申请人 |
厦门市三安光电科技有限公司 |
发明人 |
潘群峰 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
具有电流横向扩展结构的发光二极管,包括:绝缘衬底;n型氮化镓基外延层形成于绝缘衬底之上,并且其至少包含发光台面部和非发光部;有源层形成于n型氮化镓基外延层的发光台面部之上;p型氮化镓基外延层形成于有源层之上;n电极形成于n型氮化镓基外延层的非发光部之上并与n型氮化镓基外延层形成欧姆接触;其中,所述n型氮化镓基外延层的发光台面部包含一半绝缘电流横向疏导层,并且电流横向疏导层的位置介于有源层与n电极欧姆接触面之间。 |
地址 |
361009 福建省厦门市思明区吕岭路1721-1725号 |