发明名称 |
一种涂层增强C/SiC复合材料的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种涂层增强C/SiC复合材料的制备方法,技术方案是:在C/SiC复合材料试样表面涂覆浆料涂层,有助于填充由预制体结构残留的孔隙和CVI瓶颈工艺造成的孔隙,提高复合材料致密性,并能有效缓解C/SiC复合材料与SiC保护层之间的模量失配,提高复合材料的强韧性。与现有技术C/SiC复合材料相比,二维SiC晶须涂层增强C/SiC复合材料室温下弯曲强度为480-502MPa,二维SiC颗粒涂层增强C/SiC复合材料室温下弯曲强度为440-470MPa,二维(SiC晶须+SiC颗粒)涂层增强C/SiC复合材料室温下弯曲强度为485-515MPa。通过控制沉积时间控制PyC和SiC基体和保护层的厚度,通过控制浆料粘度和涂覆次数控制浆料涂层厚度,实现复合材料结构控制。 |
申请公布号 |
CN102964145A |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201210520942.3 |
申请日期 |
2012.12.04 |
申请人 |
西北工业大学 |
发明人 |
成来飞;张立同;刘小瀛;解玉鹏;孟志新;陈超 |
分类号 |
C04B41/85(2006.01)I;C04B35/80(2006.01)I;C04B35/565(2006.01)I;C04B35/622(2006.01)I |
主分类号 |
C04B41/85(2006.01)I |
代理机构 |
西北工业大学专利中心 61204 |
代理人 |
王鲜凯 |
主权项 |
一种涂层增强C/SiC复合材料的制备方法,其特征在于步骤如下:步骤1制备SiC浆料:步骤a1:以体积分数为20~30%酒精作为溶液,与SiC湿混球磨30~60min,烘干得到粉体;步骤b1:将粉体总体积分数为10~20%,乙醇和丙酮为溶剂体积分数分别为30~40%和20~30%,磷酸三乙酯为分散剂2~3%,进行混合后球磨3~5h;步骤c1:再加入聚乙烯醇缩丁醛PVB粘结剂体积分数为3~4%,邻苯二甲酸二辛酯增塑剂体积分数2~3%,继续球磨5~7h;然后真空除气泡20~30min,制得稳定浆料;步骤2制备涂层增强C/SiC复合材料:步骤2a:用碳纤维二维叠层编制预制体,纤维体积百分数为30~40%;步骤2b:以丙稀为源物质,氩气为稀释气体,采用化学气相浸渗法在碳纤维预制体表面沉积PyC界面层,沉积温度为900~1000℃,沉积时间为100~200h;步骤2c:在温度1600~1800℃条件下,保温1~3h进行热处理;步骤2d:采用化学气相浸渗法沉积SiC基体,沉积条件如下:三氯甲基硅烷为源物质,氩气为稀释气体,氢气为载气,氢气和三氯甲基硅烷的摩尔比为10:1,沉积温度为1000~1100℃,沉积时间320~400h,形成C/SiC复合材料;步骤3:在C/SiC复合材料表面涂覆SiC浆料涂层,采用化学气相沉积法在C/SiC复合材料表面沉积SiC保护层,沉积条件如下:三氯甲基硅烷为源物质,氩气为稀释气体,氢气为载气,氢气和三氯甲基硅烷的摩尔比为10:1,沉积温度为1000~1100℃,沉积时间80~100h,得到涂层增强C/SiC复合材料。 |
地址 |
710072 陕西省西安市友谊西路127号 |