发明名称 利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器
摘要 本发明公开了一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器。包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔和耦合器;所述多边形谐振腔与FP谐振腔之间通过耦合器相互耦合。多边形谐振腔通过全内反射的原理实现光波在多边形谐振腔顶点处的转向,从而得到谐振回路,多边形谐振腔的每个边都和FP谐振腔一样采用浅刻蚀工艺,减小了损耗;多边形谐振腔充当滤波器的功能,与FP谐振腔相互耦合进行选模,实现激光器的单模工作。本发明无需制作光栅,结构简单,这种利用全内反射多边形谐振腔选模的设计可以用来实现无跳模式调谐或者数字式调谐的半导体激光器。
申请公布号 CN102545043B 申请公布日期 2013.03.13
申请号 CN201210002902.X 申请日期 2012.01.06
申请人 浙江大学 发明人 武林;王磊;郭山溧;何建军
分类号 H01S5/12(2006.01)I 主分类号 H01S5/12(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 林怀禹
主权项 一种利用全内反射多边形谐振腔选模的半导体激光器,其特征在于:包括多边形谐振腔、有源FP谐振腔(2)和耦合器(3);多边形谐振腔的所有顶点处均为深刻蚀全内反射面,耦合器(3)的第一端口(31)及第二端口(32)串接在多边形谐振腔靠近有源FP谐振腔(2)的一条边中,耦合器(3)的第三端口(33)和第四端口(34) 串接在有源FP谐振腔(2)中,沿有源FP谐振腔(2)方向,多边形谐振腔中对称设有波长调谐区,多边形谐振腔设置在有源FP谐振腔(2)的一侧; 所述有源FP谐振腔(2)中远离耦合器(3)的部分设有有源增益区(21);多边形谐振腔中选取远离耦合器(3)的部分对称设置第一波长调谐区,第一波长调谐区的长度占多边形谐振腔周长的比例与有源增益区(21)长度占有源FP谐振腔(2)总长度的比例相等;或者多边形谐振腔中选取远离耦合器(3)的部分对称设置第二波长调谐区,第二波长调谐区的长度占多边形谐振腔周长的比例为30%~70%;耦合器(3)、有源FP谐振腔(2)中靠近耦合器(3)的部分和多边形谐振腔靠近耦合器的部分一起作为第三波长调谐区。
地址 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号