| 发明名称 | 具有自加热结构的半导体器件、其制造方法和测试方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了具有自加热结构的半导体器件、其制造方法以及测试方法。在一个实施例中，半导体器件包括工件；有源电结构，被设置在该工件上方；以及至少一个自加热结构，被设置为与该有源电结构相邻。 | ||
| 申请公布号 | CN102969301A | 申请公布日期 | 2013.03.13 |
| 申请号 | CN201110422533.5 | 申请日期 | 2011.12.13 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 柯家洋;邱盈翰;王琳松 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I;H01L21/66(2006.01)I;G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体器件包括：工件；有源电结构，被设置在所述工件上方；以及至少一个自加热结构，被设置为邻近所述有源电结构。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||