发明名称 |
从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块 |
摘要 |
本申请提供了一种从Flash到SRAM的专用数据传输模块,包括APB总线接口模块、FLASH控制模块和SRAM控制模块;APB总线接口模块用于锁存总线来的地址、数据、片选,使能信号以控制时序;FLASH控制模块用于与APB总线接口模块的交互、从片外FLASH获取数据并将数据传送给SRAM控制单元;SRAM控制模块用于将所接收的数据写入SRAM。本发明能够极大地提高数据传输速度;应用范围广、便利性和可移植性高;支持对SRAM的间歇占用,有利于提高芯片(SOC)的整体工作效率。 |
申请公布号 |
CN102968396A |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201210426423.0 |
申请日期 |
2012.10.30 |
申请人 |
北京华芯微特科技有限公司 |
发明人 |
胡杰;王新君;张一山 |
分类号 |
G06F13/28(2006.01)I |
主分类号 |
G06F13/28(2006.01)I |
代理机构 |
北京瑞恒信达知识产权代理事务所(普通合伙) 11382 |
代理人 |
苗青盛;王凤华 |
主权项 |
一种从Flash芯片到SRAM芯片的专用数据传输模块,包括APB总线接口模块、FLASH控制模块和SRAM控制模块;APB总线接口模块用于锁存总线来的地址、数据、片选和使能信号以控制时序;FLASH控制模块用于与APB总线接口模块的交互、从片外FLASH获取数据并将数据传送给SRAM控制单元;SRAM控制模块用于将所接收的数据写入SRAM。 |
地址 |
100102 北京市朝阳区望京北路9号叶青大厦D座428室 |