直流/直流转换器、使用其的电源装置以及电子设备

摘要

本实用新型提供一种可降低消耗电力且可以在短时间内启动的直流/直流转换器。电源端子(VCC)被输入第二输出电容器(Co2)中所产生的电压(VCC)。高电压端子(VH)被输入输入电压(VIN)。充电用晶体管(M2)是设置在高电压端子(VH)与电源端子(VCC)之间且以成为常导通的方式被施加偏压的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)。电流限制电路(40)在电源端子(VCC)的电压(VCC)低于规定的第一临界电压(VTH1)的第一状态下，限制从高电压端子(VH)向电源端子(VCC)流动的充电电流(ICHG)，在电压(VCC)高于第二临界电压(VTH2)的第二状态下，将充电电流(ICHG)实质上降低为零。

主权项

一种直流/直流转换器，其特征在于包含：变压器，其包含一端被施加输入电压的一次线圈、二次线圈及设置在所述一次线圈侧的辅助线圈；第一输出电容器，其一端的电位被固定，另一端连接于输出端子；第一二极管，其以阴极成为所述第一输出电容器侧的朝向设置在所述第一输出电容器的另一端与所述二次线圈的一端之间；开关晶体管，其设置在所述一次线圈的路径上；第二输出电容器，其一端的电位被固定；第二整流元件，其以阴极成为所述第二输出电容器侧的朝向设置在所述第二输出电容器的另一端与所述辅助线圈的一端之间；及控制电路，其控制所述开关晶体管的导通、断开；所述控制电路包含：电源端子，其与所述第二输出电容器的另一端连接；高电压端子，其被输入所述输入电压；充电用晶体管，其是设置在所述高电压端子与所述电源端子之间且以成为常导通的方式被施加偏压的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管；电流限制电路，其在所述电源端子的电压低于规定的第一临界电压的第一状态下，限制从所述高电压端子经由所述充电用晶体管向所述电源端子流动的充电电流，在所述电源端子的电压高于比所述第一临界电压规定得高的第二临界电压的第二状态下，将所述充电电流实质上降低为零。