发明名称 |
一种基于薄膜电容的高压变频器功率单元 |
摘要 |
一种基于薄膜电容的高压变频器功率单元,其特征在于,所述的整流二极管(2)、旁路可控硅(10)和IGBT功率模块(11)都安装于散热器(1)上,放置于散热器(1)左侧的薄膜电容(6)通过母线(7)进行并联,并连接于IGBT功率模块(11)的输入端,同时通过整流母线(3)与整流二极管(2)保持电气连接,整流二极管(2)以输入功率端子(4)作为其供电输入,IGBT功率模块(11)的输出端通过输出功率端子(12)向壳体(5)外输出。采用薄膜电容充当整流后的直流环节,避免了多电容串联和使用均压电阻的传统方式,简化了电气构成,减少了母排使用量,较传统方案节约成本25%左右。 |
申请公布号 |
CN202798478U |
申请公布日期 |
2013.03.13 |
申请号 |
CN201220362863.X |
申请日期 |
2012.07.25 |
申请人 |
中冶赛迪电气技术有限公司 |
发明人 |
绳伟辉;马永述;王鹏;黄林波;邵长宏;干永革 |
分类号 |
H02M5/458(2006.01)I;H02M7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H02M5/458(2006.01)I |
代理机构 |
北京市炜衡律师事务所 11375 |
代理人 |
曹健;王启莺 |
主权项 |
一种基于薄膜电容的高压变频器功率单元,包括,散热器(1)、整流二极管(2)、整流母线(3)、输入功率端子(4)、壳体(5)、薄膜电容(6)、母线(7)、母线绝缘板(8)、旁路母线(9)、旁路可控硅(10)、IGBT功率模块(11)以及输出功率端子(12),其特征在于,所述的整流二极管(2)、旁路可控硅(10)和IGBT功率模块(11)都安装于散热器(1)上,放置于散热器(1)左侧的薄膜电容(6)通过母线(7)进行并联,母线绝缘板(8)隔在母线(7)之间,起到绝缘的作用,母线(7)另一侧连接于IGBT功率模块(11)的输入端,同时通过整流母线(3)与整流二极管(2)保持电气连接,整流二极管(2)以输入功率端子(4)作为其供电输入,IGBT功率模块(11)的输出端通过输出功率端子(12)向壳体(5)外输出,旁路母线(9)将输出功率端子(12)和旁路可控硅(10)连接。 |
地址 |
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区博兴一路10号 |