| 发明名称 |
单晶矽基板成长多晶锗薄膜同时形成Ｐ＋型矽掺杂之制作方法及其结构 |
| 摘要 |
本发明系一种单晶矽基板成长多晶锗薄膜同时形成P＋型矽掺杂之制作方法及其结构，其中，该单晶矽基板成长多晶锗薄膜同时形成P＋型矽掺杂之制作方法步骤包含：单晶矽基板清洁、沉积金属层、沉积非晶锗层、执行金属诱发结晶及掺杂以及蚀刻表面金属层，其中，经过该执行金属诱发结晶及掺杂步骤后，该单晶矽基板除了形成一P型重掺杂矽层之外，并同时让该非晶锗层受到诱发结晶而为一多晶锗层，该多晶锗层直接形成于该单晶矽基板表面。 |
| 申请公布号 |
TWI389177 |
申请公布日期 |
2013.03.11 |
| 申请号 |
TW097141200 |
申请日期 |
2008.10.27 |
| 申请人 |
国立云林科技大学 云林县斗六市大学路3段123号 |
发明人 |
林坚杨;张百裕 |
| 分类号 |
H01L21/20;H01L21/225;H01L21/324 |
主分类号 |
H01L21/20 |
| 代理机构 |
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代理人 |
桂齐恒 台北市中山区长安东路2段112号9楼;阎启泰 台北市中山区长安东路2段112号9楼 |
| 主权项 |
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| 地址 |
云林县斗六市大学路3段123号 |
