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发明名称
雷射辐射方法、和使用该雷射辐射方法制造半导体装置的方法
摘要
本发明提供一种雷射照射方法,用于即使被照射物的厚度不均匀也能够对被照射物进行均匀的雷射照射。在对具有不均匀厚度的被照射物进行照射的情况下,藉由使用自动聚焦机构,可以在执行雷射照射的同时使被照射物和透镜之间的距离保持不变,其中该透镜用于使雷射光束在被照射物的表面上聚光。特别是,在用雷射光束对被照射物进行照射时,藉由沿被照射物上形成的光斑的第一方向和第二方向相对于雷射光束移动该被照射物,在被照射物沿第一和第二方向移动被照射物之前,由自动聚焦机构控制被照射物和透镜之间的距离。
申请公布号
TWI389352
申请公布日期
2013.03.11
申请号
TW098124423
申请日期
2005.04.21
申请人
半导体能源研究所股份有限公司 日本
发明人
田中幸一郎;山本良明
分类号
H01L33/00
主分类号
H01L33/00
代理机构
代理人
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址
日本
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