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Leistungshalbleiterbauelement, das folgendes umfasst: – eine erste Gruppe-III-Nitrid-Heterostruktur (33); – eine zweite Gruppe-III-Nitrid-Heterostruktur (32), die über der ersten Gruppe-III-Nitrid-Heterostruktur (33) angeordnet ist; – eine Schottky-Elektrode (20), die elektrisch mit der genannten zweiten Gruppe-III-Nitrid-Heterostruktur (32) verbunden ist, und – eine ohmsche Elektrode (22), die im Abstand zur besagten Schottky-Elektrode (20) angebracht und elektrisch mit der besagten zweiten Gruppe-III-Nitrid-Heterostruktur (32) verbunden ist; wobei die besagte Schottky-Elektrode (20) und die besagte ohmsche Elektrode (22) über einer selben Anzahl von Gruppe-III-Nitrid-Heterostrukturen angeordnet sind.
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