使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成

摘要

本发明涉及使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子的方法。本发明涉及制造半导体器件的方法，其包括使用比三氟化硼更容易解离的含氟硼掺杂物质注入含硼离子。本发明也揭示供应氢化硼前驱体的系统，形成氢化硼前驱体的方法和供应氢化硼前驱体的方法。在本发明的一个实施例中，产生所述氢化硼前驱体来用于团簇硼注入，以制造半导体产品，例如集成电路。

主权项

一种注入含硼离子的方法，其包含：在真空室中在电离条件下电离至少一个气态的含硼化合物，以产生含硼离子；和通过电场加速所述含硼离子，以将含硼离子注入衬底中，其中所述至少一个含硼化合物包含至少一个选自由下述物质组成的群组的化合物：B2F4、BF3、B(BF2)3CO、BF2CH3、BF2CF3、BF2Cl、BFCl2、BF(CH3)2、NOBF4、NH4BF4、H2BF7、H2B2F6、H4B4F10、H2BFO2、H2B2F2O3、H2B2F2O6、H2B2F4O2、H3BF2O2、H4BF3O2、H4BF3O3、B8F12、B10F12、(F2B)3BCO、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、和C2B3H7；开笼型碳硼烷、C2B3H7、CB5H9、C2B4H8、C3B3H7、C4B2H6、C2B7H13；和封闭型碳硼烷、C2B3H5、C2B4H6、C2B5H7、CB5H7、C2B6H8、C2B7H9、C2B8H10、C2B9H11和C2B10H12，且其中所述至少一个含硼化合物不包含二硼烷，且其中当所述至少一个含硼化合物包含BF3时，所述至少一个含硼化合物进一步包含选自由下述物质组成的含硼化合物：B2F4、B(BF2)3CO、BF2CH3、BF2CF3、BF2C1、BFCl2、BF(CH3)2、NOBF4、NH4BF4、H2BF7、H2B2F6、H4B4F10、H2BFO2、H2B2F2O3、H2B2F2O6、H2B2F4O2、H3BF2O2、H4BF3O2、H4BF3O3、B8F12、B10F12和(F2B)3BCO。