发明名称 |
钽化学机械抛光液的制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种钽化学机械抛光液的制备方法,其特征是:制备步骤如下,清洗容器和管道,采用18MΩ的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍;操作工人身体及手套、口罩及服装进行超净处理;将碱性pH调节剂用18MΩ超纯去离子水稀释后逐渐加入反应器内的抛光液中,采用负压涡流法进行气体搅拌,其加入量为直至抛光液达到pH值9-12;将FA/OI型表面活性剂逐渐加入处于负压涡流状态下的反应器内的抛光液中,在反应器内的抛光液中逐渐加入粒径15-100nm的纳米级硅溶胶浓度为40-50wt%,使其在负压下保持涡流状态进行气体搅拌直至硅溶胶制成SiO2水溶液的钽抛光液。有益效果:选用碱性抛光液对设备无腐蚀,硅溶胶稳定性好,解决了酸性抛光液污染重、易凝胶等诸多弊端。 |
申请公布号 |
CN102010660B |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201010231454.1 |
申请日期 |
2010.07.21 |
申请人 |
天津晶岭微电子材料有限公司 |
发明人 |
刘玉岭;王胜利;穆会来 |
分类号 |
H01L21/304(2006.01)I;C09G1/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/304(2006.01)I |
代理机构 |
天津市三利专利商标代理有限公司 12107 |
代理人 |
杨红 |
主权项 |
一种钽化学机械抛光液的制备方法,其特征是:制备步骤如下,(1)清洗容器和管道:采用18MΩ的超纯去离子水清洗反应器、管道和器具三遍;操作工人身体及手套、口罩及服装进行千级超净处理;(2)将碱性pH调节剂用18MΩ超纯去离子水稀释后逐渐加入反应器内的抛光液中,采用负压涡流法进行气体搅拌,其加入量为直至抛光液达到pH值9‑12,即可;(3)将0.25‑1%的FA/OI型表面活性剂逐渐加入处于负压涡流状态下的反应器内的抛光液中;(4)在反应器内的抛光液中逐渐加入20‑90%的粒径15‑100nm的纳米级硅溶胶,浓度为40‑50wt%,使其在负压下保持涡流状态进行气体搅拌直至硅溶胶制成SiO2水溶液的钽抛光液。 |
地址 |
300130 天津市红桥区光荣道8号 |