发明名称 |
一种实现多晶硅铸锭炉冷却的冷却装置 |
摘要 |
本实用新型公开一种实现多晶硅铸锭炉冷却的冷却装置,所述铸锭炉的隔热笼内设置有隔热门,将隔热笼分隔为上、下腔室;所述上腔室为加热室,其内容置有加热组件和坩埚,用于熔化原料;所述下腔室为制冷室,其内容置有制冷组件,用于对坩埚内的熔化原料均匀降温,以便实现晶硅均匀生长。所述上腔室内设有定向温度传导装置,将上腔室分为上、下两个部分;所述上部分设置有上加热器和坩埚,下部分设置有下加热器。该冷却装置通过隔热门,巧妙地将炉内冷热分隔开;通过控制上下加热器的功率,形成上下温度梯度,通过打开每层隔热门可以控制开口的大小来控制通气量及冷却速度;该方法结构简单,操作方便。 |
申请公布号 |
CN202766657U |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201220258484.6 |
申请日期 |
2012.06.01 |
申请人 |
沈阳森之洋自动化科技有限公司 |
发明人 |
樊海艳 |
分类号 |
C30B28/06(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I |
主分类号 |
C30B28/06(2006.01)I |
代理机构 |
沈阳优普达知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 21234 |
代理人 |
俞鲁江 |
主权项 |
一种实现多晶硅铸锭炉冷却的冷却装置,其特征在于:所述铸锭炉的隔热笼内设置有隔热门,将隔热笼分隔为上、下腔室;所述上腔室为加热室,其内容置有加热组件和坩埚,用于熔化原料;所述下腔室为制冷室,其内容置有制冷组件,用于对坩埚内的熔化原料均匀降温,以便实现晶硅均匀生长。 |
地址 |
110141 辽宁省沈阳市于洪区大兴街道新光村 |