发明名称 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器
摘要 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路,铝电极,下电极,光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极,铝电极上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极,下电极通过铝电极与读出电路连接,在读出电路、铝电极以及下电极三个部分的表面上设计有光敏层,在光敏层上沉积金属上电极。该探测器可用于红外波段和可见光波段。通过实验测试证明:本发明能简化焦平面探测器制造工艺,消除探测器芯片和读出电路两者的材料差异,避免探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变,使单片集成式焦平面探测器的可靠性得到显著改善,并使探测器具有较高的外量子效率。
申请公布号 CN102117816B 申请公布日期 2013.03.06
申请号 CN200910163261.4 申请日期 2009.12.30
申请人 昆明物理研究所 发明人 史衍丽;姬荣斌;李凡;何雯瑾;邓功荣;杨瑞宇;康蓉;彭曼泽
分类号 H01L27/144(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I 主分类号 H01L27/144(2006.01)I
代理机构 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人 赛晓刚
主权项 非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路(1),铝电极(2),下电极(3),光敏层(4)和上电极(5)组成,在读出电路(1)上设计有铝电极(2),铝电极(2)上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极(3),下电极(3)通过铝电极(2)与读出电路(1)连接,在读出电路(1)、铝电极(2)以及下电极(3)三个部分的表面上设计有光敏层(4),在光敏层(4)上沉积金属上电极(5)。
地址 650223 云南省昆明市教场东路31号
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