发明名称 |
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器 |
摘要 |
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路,铝电极,下电极,光敏层和上电极组成。在读出电路上设计有铝电极,铝电极上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极,下电极通过铝电极与读出电路连接,在读出电路、铝电极以及下电极三个部分的表面上设计有光敏层,在光敏层上沉积金属上电极。该探测器可用于红外波段和可见光波段。通过实验测试证明:本发明能简化焦平面探测器制造工艺,消除探测器芯片和读出电路两者的材料差异,避免探测器芯片和读出电路之间产生应力或应变,使单片集成式焦平面探测器的可靠性得到显著改善,并使探测器具有较高的外量子效率。 |
申请公布号 |
CN102117816B |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN200910163261.4 |
申请日期 |
2009.12.30 |
申请人 |
昆明物理研究所 |
发明人 |
史衍丽;姬荣斌;李凡;何雯瑾;邓功荣;杨瑞宇;康蓉;彭曼泽 |
分类号 |
H01L27/144(2006.01)I;H01L31/09(2006.01)I;G01J1/42(2006.01)I;G01J5/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/144(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利商标代理有限公司 53115 |
代理人 |
赛晓刚 |
主权项 |
非晶碲镉汞单片集成式焦平面探测器,其特征在于:由读出电路(1),铝电极(2),下电极(3),光敏层(4)和上电极(5)组成,在读出电路(1)上设计有铝电极(2),铝电极(2)上设计有凹槽,在凹槽内沉积金属下电极(3),下电极(3)通过铝电极(2)与读出电路(1)连接,在读出电路(1)、铝电极(2)以及下电极(3)三个部分的表面上设计有光敏层(4),在光敏层(4)上沉积金属上电极(5)。 |
地址 |
650223 云南省昆明市教场东路31号 |