含有碳基衬底的铟镓铝氮发光器件以及其制造方法

摘要

本发明的一个实施方式提供一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括铟镓铝氮基半导体多层结构和支持铟镓铝氮基半导体多层结构的碳基衬底，其中该碳基衬底包括至少一个碳基层。该碳基衬底具有高热传导率和低电阻率。

主权项

一种铟镓铝氮基半导体发光器件，其包括：铟镓铝氮基半导体多层结构，其中所述铟镓铝氮基半导体多层结构最初制备在Si生长衬底上并且随后转移到碳基衬底上，所述铟镓铝氮基半导体多层结构通过焊接工艺键合到碳基衬底，使用湿蚀刻工艺去除所述Si生长衬底；以及碳基衬底，其支持所述铟镓铝氮基半导体多层结构，其中所述碳基衬底包括第一碳基层；所述第一碳基层包括以下材料中的一种或者多种：天然石墨；压制石墨；热解石墨；金属渗透石墨；碳纤维基压制或者编织材料；碳纳米管基叠层材料。