发明名称 | 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法 | ||
摘要 | 本发明涉及一种柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法,包括在柔性衬底上依次制备Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、i-ZnO/ZnO:Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极,其特征在于:所述吸收层采用后掺钠的制备方法。本发明由于采用吸收层制备工艺完成后再通过蒸发NaF进行后掺Na,不仅增加了吸收层的载流子浓度、降低了电阻率,而且吸收层晶体质量不受影响,吸收层薄膜晶粒尺寸不变,改善了吸收层的电学性能,能够有效提高薄膜太阳电池的电学性能,与目前同类电池比,采用该吸收层制备电池的光电转换效率可提高20%~30%。 | ||
申请公布号 | CN102956752A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
申请号 | CN201210495682.9 | 申请日期 | 2012.11.28 |
申请人 | 中国电子科技集团公司第十八研究所 | 发明人 | 杨亦桐 |
分类号 | H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/18(2006.01)I |
代理机构 | 天津市鼎和专利商标代理有限公司 12101 | 代理人 | 李凤 |
主权项 | 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池的制备方法,包括在柔性衬底上依次制备Mo背电极、吸收层、CdS缓冲层、i‑ZnO/ZnO:Al透明导电层/窗口层和Ni/Al电极,其特征在于:所述吸收层采用后掺钠的制备方法。 | ||
地址 | 300384 天津市西青区海泰工业园华科七路6号 |