选择性发射极太阳能电池的制造工艺

摘要

本发明涉及太阳能晶体硅电池PN结的精细制造工艺并提出了一种新型的电池结构，其工艺步骤：硅片清洗制绒、扩散、HF溶液酸洗并去除硅片表面的氧化膜；制备氮化硅掩膜；将晶体硅太阳能电池放入HF、HNO3、H2SO4的混合溶液中，去除硅片边缘的N型层；利用氮化硅掩膜的作用进行选择性地腐蚀；对晶体硅太阳能电池进行后处理过程，在硅片表面进行PECVD镀膜、印刷、烧结并测试，形成一片完整的电池。本发明的工艺制备发射极太阳能电池，可以实现发射极有选择性的轻重掺的结果，成本低，工艺简单，适合大规模生产。

主权项

一种选择性发射极太阳能电池的制造工艺，其工艺步骤为：一、对晶体硅太阳能电池进行扩散：将硅片清洗制绒，通过气流比和温度的控制对硅片进行POCL3气体的扩散，再将硅片放入5％的HF溶液中进行浸泡，去除硅片表面的氧化膜；二、对晶体硅太阳能电池的发射极掩膜进行制备：准备好与发射极网板相匹配的掩膜板，并固定到PECVD机台石墨框上，进行PECVD镀膜，对需要镀膜的地方镀上膜厚和折射率都合理的氮化硅膜，氮化硅掩膜厚度为30‑50nm，折射率为2.15‑2.25；三、对完成上述2个工序的晶体硅太阳能电池进行选择性腐蚀：将晶体硅太阳能电池放入HF、HNO3、H2SO4的混合溶液中，去除硅片四周的N型层，使得太阳能电池P型层和N型层相对绝缘，再用常温下的10％的碱或者氨水和双氧水的混合液对硅片的表面进行清洗，选择性地微腐蚀掉表面的发射极，然后通过5％的HF漂洗硅片，去除硅片表面氧化硅掩膜的残留；四、对完成上述3个工序的晶体硅太阳能电池的后处理过程：在硅片表面进行PECVD镀膜，然后进行印刷、烧结并进行测试，形成完整的电池，在进行印刷电极的时候使得正面银栅线匹配重掺杂区域。