| 发明名称 | 薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及薄膜晶体管和用于制造薄膜晶体管的方法。该薄膜晶体管包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成，并构成沟道区域；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层。所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起。 | ||
| 申请公布号 | CN101931051B | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201010205349.0 | 申请日期 | 2010.06.17 |
| 申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 田中正信;石原弘嗣;陈海晶;栗原研一 |
| 分类号 | H01L51/05(2006.01)I;H01L51/40(2006.01)I | 主分类号 | H01L51/05(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 王安武;南霆 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极电极，其布置在衬底上；半导体层，其由有机半导体形成并构成沟道区域，所述半导体层包括突起部分，所述突起部分在所述半导体层的与所述衬底面对的表面上的、除所述半导体层的端部附近区域之外的内侧区域朝向所述衬底突起；栅极绝缘膜，其布置在所述栅极电极与所述半导体层之间；以及一对源极/漏极电极，其电连接至所述半导体层，其中所述端部附近区域至少包括所述半导体层的与所述源极/漏极区域的接触区域面对的底表面区域。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||