| 发明名称 | 非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及非易失性存储元件及包括该非易失性存储元件的存储装置。一种非易失性存储元件可包括在两个电极之间的存储层，存储层可具有多层结构。存储层可包括底层和离子物种交换层，并可具有由于离子物种在所述底层和所述离子物种交换层之间的移动而引起的电阻改变特性。离子物种交换层可具有包括至少两层的多层结构。非易失性存储元件可具有由于具有所述多层结构的所述离子物种交换层而导致的多位存储特性。所述底层可以是氧供应层，所述离子物种交换层可以是氧交换层。 | ||
| 申请公布号 | CN102956822A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201210211660.5 | 申请日期 | 2012.06.21 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 李承烈;金英培;金昌桢;李明宰;许智贤;李东洙;张晚;李昌范;金京旻 |
| 分类号 | H01L45/00(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;G11C13/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L45/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 弋桂芬 |
| 主权项 | 一种非易失性存储元件，包括：第一电极；第二电极；及电阻改变存储层，在所述第一电极与所述第二电极之间，并且所述存储层包括：底层，和离子物种交换层，包括至少两层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||