发明名称 |
曲面结构的硅漂移探测器 |
摘要 |
本发明公开了一种曲面结构的硅漂移探测器。本发明的硅漂移探测器包括N型硅片,位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极,施加于所述入射面的反向偏置电压,和位于所述N型硅片的背面的阳极,其特征在于,所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极,所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。本发明还公开了一种硅漂移探测器的制造方法,在该方法中,所需的曲面通过用腐蚀剂腐蚀基底表面而得到。本发明可用于X射线光谱分析,可用于空间探测等技术领域。 |
申请公布号 |
CN102097521B |
申请公布日期 |
2013.03.06 |
申请号 |
CN201010523325.X |
申请日期 |
2010.10.22 |
申请人 |
北京大学 |
发明人 |
蔡璐;于民;羊晋;王金延;金玉丰 |
分类号 |
H01L31/115(2006.01)I;G01T1/24(2006.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/115(2006.01)I |
代理机构 |
北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 |
代理人 |
邵可声 |
主权项 |
一种硅漂移探测器,其包括N型硅片,位于所述N型硅片的入射面的P型漂移电极和位于所述N型硅片的背面的阳极;所述入射面施加反向偏置电压;其特征在于,所述硅漂移探测器还包括位于所述N型硅片的背面的P型曲面漂移电极,所述曲面从距离所述阳极设定的距离处向外围凹陷。 |
地址 |
100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 |