发明名称 | 一种电迁移失效的剩余寿命预测方法和装置 | ||
摘要 | 本发明提出一种电迁移失效的剩余寿命预测方法,包括步骤:建立MOS器件的电迁移寿命模型;根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度,以及电迁移寿命模型,获取正常电迁移失效的寿命T1;根据目标预兆点T2和第二环境温度,以及电迁移寿命模型,获取电流密度应力;将电流密度应力输入基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路;若基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路经过时间T3后输出高电平,则根据T1、T2以及T3,获取对应T2的电迁移失效的剩余寿命。本发明还提出一种电迁移失效的剩余寿命预测装置,可以提高预测MOS器件电迁移失效剩余寿命的可靠性,提高预测效率,降低成本。 | ||
申请公布号 | CN102955121A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
申请号 | CN201210424774.8 | 申请日期 | 2012.10.30 |
申请人 | 工业和信息化部电子第五研究所 | 发明人 | 陈义强;恩云飞;章晓文;黄云;陆裕东 |
分类号 | G01R31/26(2006.01)I | 主分类号 | G01R31/26(2006.01)I |
代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 王茹;曾旻辉 |
主权项 | 一种电迁移失效的剩余寿命预测方法,其特征在于,包括步骤:建立MOS器件的电迁移寿命模型;根据预设的正常工作条件下的电流密度和第一环境温度,以及所述电迁移寿命模型,获取正常电迁移失效的寿命T1;根据目标预兆点T2和第二环境温度,以及所述电迁移寿命模型,获取电流密度应力;将所述电流密度应力输入基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路;若所述基于预兆单元的MOS器件电迁移失效预警电路经过时间T3后输出高电平,则根据所述T1、所述T2以及所述T3,获取对应所述T2的电迁移失效的剩余寿命。 | ||
地址 | 510610 广东省广州市天河区东莞庄路110号 |