| 发明名称 | 一种形成铜互连的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种形成铜互连的方法，所述方法包括：在半导体衬底上形成低介电材料层；在所述低介电材料层中蚀刻出通孔和槽；在所述通孔和槽中形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成Cu层和Cu合金层；回流退火所述Cu合金层，使Cu合金层中的合金元素扩散到下部的Cu层中，从而有效改善铜互连的电迁移可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102956541A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110239237.1 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 鲍宇 |
| 分类号 | H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/768(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种形成铜互连的方法，其包括：在半导体衬底上形成低介电材料层；在所述低介电材料层中蚀刻出通孔和槽；在所述通孔和槽中形成扩散阻挡层；在所述扩散阻挡层上形成Cu层和Cu合金层；回流退火所述Cu合金层，使Cu合金层中的合金元素扩散到下部的Cu层中。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||