| 发明名称 | 深沟槽的硅外延填充方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种深沟槽的硅外延填充方法，可应用于超级结MOSFEFT，该方法包括以下步骤：1)在硅衬底上生长一层N型外延层；2)在该N型外延层上生长一层介质膜；3)以该介质膜为掩模，在该N型外延层上刻蚀出沟槽；4)进行硅外延生长，用P型硅外延填充沟槽；5)对硅片表面进行平坦化；6)重复一次步骤4)和5)，进行第二次硅外延生长和硅片表面的平坦化。该硅外延填充方法通过两次反型硅外延生长和硅片表面平坦化工艺，获得了在沟槽内无空洞或较小空洞的硅外延层，从而提高了超级结MOSFET器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102956471A | 申请公布日期 | 2013.03.06 |
| 申请号 | CN201110238539.7 | 申请日期 | 2011.08.19 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘继全;肖胜安;季伟;于源源 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种深沟槽的硅外延填充方法，其特征在于，包括以下步骤：1)在硅衬底上生长一层N型外延层；2)在该N型外延层上生长一层介质膜；3)以该介质膜为掩模，在该N型外延层上刻蚀出沟槽；4)进行硅外延生长，用P型硅外延填充沟槽；5)对硅片表面进行平坦化；6)重复一次步骤4)和5)，进行第二次硅外延生长和硅片表面的平坦化。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||